三大存储器厂 2024 年重启资本支出，重心在 HBM 及高价 DRAM，今年 NAND 资本支出减少，Q3 NAND Flash 或供过于求。
【三大存储器厂今年 NAND 资本支出不增反减 Q3 NAND Flash 或供过于求】
7 月 26 日讯，HBM 高价产品获利快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂 2024 年重启资本支出投资。
三大存储器供应商重心聚焦 HBM 及高价 DRAM，企业级储存需求强劲，但 NAND Flash 市场供过于求隐忧仍存。
三星电子、SK 海力士及美光今年对 NAND Flash 资本投资不增反减，NAND Flash 报价逐季走扬，下半年产能全面恢复正常水位，市场估计第三季或微幅供过于求，价格上涨趋于平缓。
